1ch DCモータ ドライバIC商品化【東光】
東光は、VTR機器やオ−ディオ機器及び家電製品などのDCモータ駆動用に最適なHブリッジ回路（1ch内蔵）のDCモータドライバIC「TK86287AM1G0L/TK86287AM4G0L」2タイプのサンプル出荷を開始した。
TK86287AM1G0L/TK86287AM4G0Lは、正転、逆転、ブレーキ及び待機の4モードで動作、小型低背パッケージ（SO3024-8:TK86287AM4G0L）を採用、またパワーセーブ回路内蔵により、モータ停止時の消費電力を抑える。
＜特徴＞
・制御モード : 正転、逆転、ブレーキ、スタンバイ
・出力電流 : 1.0A (MAX)
・パワーセーブ回路内蔵
・汎用標準パッケージ(TK86287AM1)
・低背小型パッケージ(TK86287AM4)
・出力電圧設定機能
・過熱保護回路内蔵
・応用分野 : VTR機器・オーディオ機器全般、家電製品、その他DCモータ駆動
商品紹介URL
TK86287AM1G0L/TK86287AM4G0Lは、正転、逆転、ブレーキ及び待機の4モードで動作、小型低背パッケージ（SO3024-8:TK86287AM4G0L）を採用、またパワーセーブ回路内蔵により、モータ停止時の消費電力を抑える。
＜特徴＞
・制御モード : 正転、逆転、ブレーキ、スタンバイ
・出力電流 : 1.0A (MAX)
・パワーセーブ回路内蔵
・汎用標準パッケージ(TK86287AM1)
・低背小型パッケージ(TK86287AM4)
・出力電圧設定機能
・過熱保護回路内蔵
・応用分野 : VTR機器・オーディオ機器全般、家電製品、その他DCモータ駆動
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ストロボ用昇圧トランス【ミツミ電機】
■概要
デジタルカメラ等携帯機器の小型、薄型化に伴い、部品は小型低背SMD化を要求されています。中でもデジタルカメラ、携帯電話に搭載されるストロボ部分は、省スペ−ス最優先のため、IC化による部品点数を削減した回路構成に移行している。
こうしたニーズの変化に伴い、トランスも従来の6端子構成から4端子構成で対応が可能となった。＜C*-KTシリ−ズ＞は多端子構成に必要な樹脂基台を無くし、フェライトコアに直接端子を設けることで小型、高容量を実現。
■特長
1. 実装面積比 35％削減（同等品他社比）
2. 高さ2mm max.〜 計5種類の製品ラインナップ
■主な仕様
機種名 外形寸法 高さ 容量
C5-KT2.2L 5mm角 2.2mm max. 0.7W
C5-KT2.5L 5mm角 2.5mm max. 0.8W
C5-KT3L 5mm角 3.0mm max. 1.0W
C6-KT2L 6mm角 2.0mm max. 0.8W
C6-KT3L 6mm角 3.0mm max. 1.2W
巻線間耐圧： 500V 1分間
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携帯電話用GaAs HBT送信用電力増幅モジュールの出荷開始【三菱電機】
三菱電機株式会社は、W-CDMA1方式のマルチバンド携帯電話端末向けに、GaAs HBTを用い業界最小クラスのサイズを実現した送信用電力増幅モジュール3品種を開発し、2月1日からサンプル出荷を開始した。
【概要】
・BA01244
周 波 数：830〜840MHz
出力電力：26.5dBm
寸法：3.0×3.0×1.0mm
・BA01245
周 波 数：1920〜1980MHz
出力電力：26.5dBm
寸法：3.0×3.0×1.0mm
・BA01246
周 波 数：1750〜1785MHz
出力電力：26.5dBm
寸法：3.0×3.0×1.0mm
【特長】
・業界最小クラスのサイズを実現し、マルチバンド携帯電話端末の小型化に貢献
当社独自のMMIC設計技術により、送信用電力増幅モジュールの整合回路を構成するチップ部品の一部をMMICに内蔵。これによりチップ部品の点数を従来比で4割削減し、従来品同等の性能を維持しながら従来比約6割以下となる業界最小クラスのパッケージ面積3.0ｍｍ×3.0ｍｍを実現。これにより、マルチバンド携帯電話端末の小型化に貢献する。
・整合回路基板の樹脂化により、マルチバンド携帯電話端末の薄型化に貢献
従来品の整合回路はセラミックス基板上に構成していたが、熱抵抗を低減した樹脂基板を採用することにより、16％薄い製品高さ1.0ｍｍを実現。これにより、マルチバンド携帯電話端末の薄型化に貢献する。
・最大出力電力時の高効率を実現し、長時間通話が可能
小型化を実現しながらも、当社独自の携帯電話用モジュ−ル設計技術とMMIC設計技術により、当社従来製品と同等の電力付加動作効率47％を実現。これにより、マルチバンド携帯電話端末における長時間通話が可能。
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【概要】
・BA01244
周 波 数：830〜840MHz
出力電力：26.5dBm
寸法：3.0×3.0×1.0mm
・BA01245
周 波 数：1920〜1980MHz
出力電力：26.5dBm
寸法：3.0×3.0×1.0mm
・BA01246
周 波 数：1750〜1785MHz
出力電力：26.5dBm
寸法：3.0×3.0×1.0mm
【特長】
・業界最小クラスのサイズを実現し、マルチバンド携帯電話端末の小型化に貢献
当社独自のMMIC設計技術により、送信用電力増幅モジュールの整合回路を構成するチップ部品の一部をMMICに内蔵。これによりチップ部品の点数を従来比で4割削減し、従来品同等の性能を維持しながら従来比約6割以下となる業界最小クラスのパッケージ面積3.0ｍｍ×3.0ｍｍを実現。これにより、マルチバンド携帯電話端末の小型化に貢献する。
・整合回路基板の樹脂化により、マルチバンド携帯電話端末の薄型化に貢献
従来品の整合回路はセラミックス基板上に構成していたが、熱抵抗を低減した樹脂基板を採用することにより、16％薄い製品高さ1.0ｍｍを実現。これにより、マルチバンド携帯電話端末の薄型化に貢献する。
・最大出力電力時の高効率を実現し、長時間通話が可能
小型化を実現しながらも、当社独自の携帯電話用モジュ−ル設計技術とMMIC設計技術により、当社従来製品と同等の電力付加動作効率47％を実現。これにより、マルチバンド携帯電話端末における長時間通話が可能。
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±15kV ESD保護付きUSBトランシーバ提供【マキシム】
マキシム・インテグレーテッド・プロダクツ(NASDAQ: MXIM)は、3mm x 3mmの16ピンTQFNパッケージで提供される、±15kV ESD保護付き、USBフルスピードトランシーバのMAX13481E/MAX13482E/MAX13483Eを発表した。これらのデバイスは、消費電流を低減し、低電圧ASIC/CPUにUSB対応インタフェースを提供するロジック選択可能なサスペンドモードを備えており、携帯電話やPDAなどの携帯機器に最適。USBのD+およびD-データラインは、ヒューマンボディモデルで±15kVまで保護されており、ケーブルでのESDに対する保護を強化し、外部保護回路が不要になる。これらのトランシーバは、USBフルスピード(12Mbps)の規格に適合。
MAX13481Eは、内部プルアップスイッチを制御するアクティブローのエニュメレーション入力を備えており、Micrel社MIC2551AおよびPointChips社DP1681とピンコンパチブル。MAX13482Eは、アクティブローのエニュメレーション入力を備え、内蔵1.5kのD+プルアップ抵抗を制御する。MAX13482EおよびMAX13483EはともにVbus検出を提供し、PointChips社DP1682およびDP1680とそれぞれピンコンパチブルである。40℃〜+85℃の拡張温度範囲で動作し、3mm x 3mmの16ピンTQFNパッケージで提供。
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オンチップ・キャパシティブ・デジタル・アイソレータを発表【日本TI】
1月25日
日本テキサス・インスツルメンツは本日、絶縁のためのキャパシタをオンチップで内蔵し、より高いシグナル・インテグリティ（信号の完全性）と高速のデータ伝送レートを実現する、高性能デジタル・アイソレータ、『ISO721』製品ファミリを発表。これらのキャパシティブ・アイソレータ製品は業界で最高のデータ伝送レートと、高い信頼性を同時に提供するとともに、既存のトランス結合型アイソレータ製品と比較して6桁以上高い電磁耐量、高性能フォト・カプラと比較して60%も低い消費電力などを提供。
『ISO721』および『ISO721M』は高性能のデータ伝送機能ならびに、最高560 V（ボルト）の継続動作電圧、4,000 V（ピーク）の過電圧過渡波形に耐えるアイソレーションによる回路保護を提供。『ISO721M』は、比較的低いシステム雑音環境で、高速のデジタル・データ伝送を必要とするアプリケーションに最適。また『ISO721』はより厳しい雑音環境のデータ伝送において、高い柔軟性と堅牢性を提供します。これらの製品はUL （Underwriters Laboratory） の『UL 1577』、IEC（International Electronics Commission）の 『IEC 60747-5-2』 、CSA（Canadian Standards Association）の『CSA Component Acceptance Notice 5A』 など、種々のアイソレータ標準規格に適合している。
『ISO721』および『ISO721M』は、オンチップの高耐圧キャパシタを使用し、既存の主な高性能フォト・カプラ製品と比較して、より低い消費電力で最高3倍のデータ伝送レートを提供。さらにTIのキャパシティブ伝送テクノロジーは、工業環境で頻繁に発生し、シグナル・インテグリティを悪化させる外部磁界に対する高い耐性も提供。また高速の過渡電圧波形によるデータ伝送障害に対しても高い耐性を備え、25 kV/μs（キロボルト/マイクロセカンド、最小値）の過渡電圧保護も提供。
TIの新型アイソレータ製品は半導体のシリコン酸化膜による絶縁体を使用。この安定した高性能の絶縁体は、高い信頼性と長い動作寿命を提供。これらの特長は、厳しい工業環境のアプリケーションにおいて重要な要求条件。『ISO721』および『ISO721M』は代表的な動作電圧において、25年を越える製品寿命が予測される。
＜特長＞
・アイソレーション: 4,000V （ピーク値）
UL 1577、IEC 60747-5-2 （VDE 0884, Rev. 2）に適合
IEC 61010-1およびCSAの認証取得済
高い瞬間同相除去電圧: 25 kV/μs（最小値）
・高い電磁耐量
・ノイズ・フィルタ付きのTTL入力、伝送レート: 100 Mbps（メガビット/秒）（『ISO721』）
・ノイズ・フィルタ無しのCMOS入力、伝送レート: 150 Mbps（『ISO721M』）
・低伝搬遅延時間: 17 ns（ナノ秒、代表値）（『ISO721』）
・低伝搬遅延時間: 10 ns（代表値）（『ISO721M』）
・低ジッタ: 2 ns（代表値）（『ISO721』）
・低ジッタ: 1 ns（代表値）（『ISO721M』）
・低パルス幅歪み
・3 Vおよび5 Vをサポート
・低入力電流
・フェイルセーフ機能付きの出力
・動作温度: -40 ℃ 〜 +125 ℃
・既存の大多数のフォト・カプラおよびトランス結合型アイソレータと置き換えが可能
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